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    一種製造有機發光裝置的方法，包括：在具有有機平坦化層的基板上形成抗蝕刻保護層的步驟，在抗蝕刻保護層上形成多個電極的步驟，在具有多個電極的基板上形成有機化合物層的步驟，使用光刻法在形成在多個電極中的部分電極上的有機化合物層上形成抗蝕劑層的步驟，以及藉由乾蝕刻除去在不覆蓋有抗蝕劑層的區域中的有機化合物層的步驟，其中，在以上執行了直到形成多個電極的步驟的各個步驟的基板上的有機平坦化層的全部表面被覆蓋有抗蝕刻保護層和電極這兩者中的至少一個。
    公开号:TW201314884A
    申请号:TW101134948
    申请日:2012-09-24
    公开日:2013-04-01
    发明作者:Manabu Otsuka；Tomoyuki Hiroki
    申请人:Canon Kk；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    製造有機發光裝置之方法
    本發明係關於製造有機發光裝置的方法。
    多色有機發光裝置是藉由組合具有不同的發光顏色的多個有機發光元件製造而成的發光裝置。此處當製造多色有機發光裝置時，必需在預定區域內選擇性地形成具有不同的發光顏色的多個發光層。為了在預定區域內選擇性地形成發射這種預定顏色的發光層而使用了各種方法，並且使用光刻法來把發光層圖案化的方法可作為這樣的方法之一。
    在日本專利No.3839276中提出了以下方法，其中當使用光刻法把含有發光層的有機化合物層圖案化時，有機化合物層被乾蝕刻以部分地除去不必要的有機化合物層。
    具體地，首先，第一有機化合物層的膜完全地形成於在以上第一圖素電極和第二圖素電極以圖案形成的基板上。隨後，使用光刻法為其中形成第一有機化合物層的部分提供覆蓋第一有機化合物層的抗蝕劑層，並且在不覆蓋有抗蝕劑層的區域內的第一有機化合物層被藉由乾蝕刻選擇性地除去。隨後，第二有機化合物層的膜完全地形成，其中形成第一有機化合物層和第二有機化合物層的部分具有藉由光刻法而得的抗蝕劑層，並且在不覆蓋有抗蝕劑層的區域內的第二有機化合物層被除去。最後，使用抗蝕劑剝
    離液把形成在抗蝕劑層上的層剝離，並且共用電極被形成在圖案化的第一和第二有機化合物層上。根據上述方法，形成了藉由把多個有機化合物層圖案化而具有多個有機發光元件的發光裝置。
    當根據日本專利No.3839276中討論的方法把有機化合物層圖案化時，在某些情況下使用具有用於驅動有機發光元件的配線層和電晶體(Tr)的基板。在這種情況下，在形成圖素電極等之前，為了把由於Tr和配線層產生的粗糙平滑化和平坦化，必需形成覆蓋Tr和配線層的有機平坦化層。如果必要的話在某些情況下，為了把根據圖素電極的膜厚度而產生的不平坦度平滑化以及佈置每個發光元件的發光區域，在有機平坦化膜上形成覆蓋圖素電極的邊緣的有機圖素分離膜。
    有機平坦化膜以及有機圖素分離膜是由與有機化合物層相同的有機材料組成的部件。當藉由日本專利No.3839276中討論的方法使層圖案化時，在其中由有機材料組成的部件被暴露在基板的表面上的情況下，可能出現下述的不便。
    執行乾蝕刻的時間段被調整為使得有機化合物層的膜不殘留在被提供在執行乾蝕刻的區域內的電極上。具體地，除去有機化合物層所需的時間段是根據有機化合物層的膜厚度以及有機化合物層的蝕刻率而計算出的。執行乾蝕刻的時間長於用於除去有機化合物層所需的時間段。
    有機平坦化層和有機圖素分離層的蝕刻率與有機化合物層的蝕刻率是幾乎相同的。因此，藉由蝕刻把有機化合物層除去後，佈置在第一和第二圖素電極之間以及顯示區域周邊的有機平坦化層和有機圖素分離層也類似於第一有機化合物層那樣被蝕刻。因此，在提供在暴露於蝕刻的區域內的有機平坦化層和有機圖素分離膜中產生凹陷，並且在第一有機化合物層和有機平坦化層之間或在第一有機化合物層和圖素分離膜之間產生過度的不平坦。如果是這種情況，當形成第二有機化合物層或共用電極的膜時，由於這種過度的不平坦，所以第二有機化合物層或共用電極有時會部分斷裂或變薄。第二有機化合物層和共用電極的斷裂部分和變薄部分引起有機發光元件的電極之間的短路並且變成電流供應電路內的電阻以導致有機發光裝置內的受損的特性。
    在日本專利No.3839276中，在使用光刻法把有機化合物層圖案化的步驟中使抗蝕劑層顯影之後用水清洗基板。在那時，如果由有機材料組成的部件被暴露在基板的表面上，那麼水滲入並且被吸收/儲存在有機平坦化層和有機圖素分離膜內。因此，要花很長時間使部件脫水，並且在使用發光裝置時殘留的水洩漏從而使有機發光元件的特性降低。
    本發明針對獲得具有良好發光特性的有機發光裝置的有機發光裝置製造方法。
    根據本發明的一方面，一種在具有有機平坦化層的基板上製造發光裝置的方法，該發光裝置包括多個有機發光元件，每個有機發光元件包括：包含至少發光層的有機化合物層以及把載子提供到該有機化合物層的電極，該方法包括：在具有有機平坦化層的基板上形成抗蝕刻保護層的步驟，在抗蝕刻保護層上形成多個電極的步驟，在具有多個電極的基板上形成有機化合物層的步驟，使用光刻法在形成在多個電極中的部分電極上的有機化合物層上形成抗蝕劑層的步驟，以及藉由乾蝕刻除去在不覆蓋有抗蝕劑層的區域中的有機化合物層的步驟，其中，在以上執行了直到形成多個電極的步驟的各個步驟的基板上的有機平坦化層的全部表面被覆蓋有抗蝕刻保護層和電極這兩者中的至少一個。
    在根據本發明的示例實施例的製造方法中，在有機發光裝置(其中至少有機平坦化層被提供在電晶體和配線的上部中)中，當使用光刻法和乾蝕刻來執行圖案化時，在有機平坦化層上要被蝕刻的區域中的不平坦度減小。這使得能夠減少共用電極斷裂以及可能發生在共用電極和圖素電極之間的漏電/短路。此外，藉由用抗蝕刻保護層或下部電極這兩者中的至少一個來覆蓋有機平坦化層的表面，可以當藉由光刻法把有機化合物層圖案化時防止水滲透到有機平坦化層中。因此，能夠防止在容易吸收和儲存水的有機平坦化膜中吸收和儲存的水在元件完成之後滲漏並使有機發光元件劣化。
    因此，根據本發明的示例實施例，可以提供用於獲得具有良好發光特性的有機發光裝置的有機發光裝置製造方法。
    根據參照附圖對示例性實施例的以下詳細描述，本發明的更多特徵和方面將變得清楚。
    以下將參照附圖對本發明的各種示例實施例、特徵以及各態樣進行詳細描述。
    本發明的範例實施例即製造以下有機發光裝置的方法：在該有機發光裝置中有機平坦化層、多個第一圖素以及多個第二圖素被提供在基板上。此處，第一圖素包括由第一下部電極、具有至少發光層的第一有機化合物層以及第一上部電極組成的第一有機發光元件。第二圖素包括由第二下部電極、具有至少發光層的第二有機化合物層以及第二上部電極組成的第二有機發光元件。第一有機化合物層和第二有機化合物層相互不同，並且本示例實施例中的有機化合物層包括至少發光層。更具體地，本示例實施例中的有機化合物層包含由一個或更多個發光層組成的情況或者包含由除了這種發光層以外還包括一個或更多其他層(由電子注入層、電子輸送層、電洞注入層、電洞輸送層等組成)的多個層的疊層體組成的情況。相互“不同的有機化合物層”是指這樣的有機化合物層：即在發光層的材料、組成以及膜厚度，當發光層形成時的膜形成方法以及膜形成條件，發光層以外的其他層的材料、組成以及膜厚度，當其他層形成時的膜形成方法以及膜形成條件中的至少一個中互異的有機化合物層。此外在本示例實施例中，第一上部電極和第二上部電極是被連續地提供於在基板上提供的所有圖素上的共用電極層，並且是指相同的層。本示例實施例中的製造方法中所製造的有機發光裝置不限於包括圖素的兩個種類的那些有機發光裝置。
    本示例實施例中的製造方法主要被利用作為用於製造其中光被從共用電極側取出的頂部發射型有機發光裝置的方法。然而，本發明不限於此，並且還能夠被利用作為用於製造底部發射型有機發光裝置的方法。
    製造本示例實施例的有機發光裝置的方法包括至少以下步驟(i)至(iv)：(i)形成下部電極(在其中形成第一下部電極和第二下部電極)的步驟；(ii)形成第一有機化合物層的步驟，其中第一有機化合物層以覆蓋第一下部電極和第二下部電極這樣的方式形成；(iii)處理第一有機化合物層的步驟，其中形成在第二下部電極上的第一有機化合物層藉由乾蝕刻被除去；以及(iv)形成第二有機化合物層的步驟，其中第二有機化合物層在處理第一有機化合物層的步驟之後形成。
    此處，本示例實施例還包括形成抗蝕刻保護層的步驟，其中在形成下部電極的步驟之前或者在形成下部電極的步驟和形成第一有機化合物層的步驟之間把抗蝕刻保護層提供在鄰近的下部電極之間。更具體地，本示例實施例還包括形成抗蝕刻保護層的步驟，其中抗蝕刻保護層在步驟(i)之前或在步驟(i)和步驟(ii)之間被提供在鄰近的下部電極之間。在本示例實施例中，抗蝕刻保護層是用蝕刻率低於處理第一有機化合物層的步驟中的第一有機化合物層的蝕刻率的材料形成。
    圖1A、1B和1C是示出形成和處理第一有機化合物層的膜的步驟的具體示例的示意截面圖。圖2A、2B和2C是示出形成和處理第二有機化合物層的膜的步驟以及處理共用電極的步驟的具體示例的示意截面圖。圖1A、1B和1C以及圖2A、2B和2C示出了製造具有兩種圖素(第一圖素1a和第二圖素2b)的有機發光裝置1時的一系列處理。
    後面將基於圖1A、1B和1C以及圖2A、2B和2C描述本示例實施例中的有機發光裝置的製造方法。 (製造基板的步驟)
    首先，製造具有圖素驅動電路(圖1A中的符號12)的基板10(圖1A)。具體地，包括開關元件(如電晶體)的圖素驅動電路12和配線(圖中未示出)形成在基體11上，並且隨後有機平坦化層13以覆蓋圖素驅動電路12和配線那樣的方式形成。當圖素驅動電路12和配線(圖中未示出)形成時，絕緣層14可以適當地被提供。
    包含基體11的基板可以是透明的或不透明的。基板還可以是由玻璃或合成樹脂組成的絕緣基板或導電基板(在導電基板的表面上形成諸如氧化矽(SiO2)膜、氮化矽(SiN)膜、或氮氧化矽(SiON)膜那樣的絕緣膜)，或半導體板如矽晶片。
    包含於圖素驅動電路12中的電晶體不限於作為半導體層的多晶矽，還可以使用非晶矽和微晶矽。諸如鋁和鋁合金之類的具有低電阻的金屬材料能夠被用作提供在基體11上的配線。
    有機平坦化層13由絕緣材料形成並且具有把基板10平坦化的功能。有機平坦化層13有利地由具有良好圖案精度的材料形成以便開闢精細的開口，如把圖素驅動電路12電氣地連接到下部電極(第一下部電極21a、第二下部電極21b)的連接孔。此處，包括有機平坦化層13的組成材料包括，例如，感光聚醯亞胺和丙烯酸樹脂。
    絕緣層14是由諸如氮化矽和氧化矽之類的絕緣材料形成的層，但是用於形成絕緣層14的絕緣材料不特別地限定。 (形成抗蝕刻保護層的步驟)
    在本示例實施例中，抗蝕刻保護層30在形成組成有機發光元件的下部電極(第一下部電極21a、第二下部電極21b)之前形成(圖1A)。在本示例實施例中，抗蝕刻保護層30在形成下部電極之前形成，並且有機平坦化層13被有抗蝕刻保護層30完全地覆蓋。然後，下部電極(21a、21b)在藉由圖案化形成到圖素驅動電路12的連接孔之後形成。形成顯示區域中的抗蝕刻保護層30的態樣不限於圖1A中所示的態樣，並且在把有機化合物層圖案化的步驟中僅必需避免有機平坦化層13的表面與水接觸。例如，如稍後描述的圖3A中所示，抗蝕刻保護層30可以被形成以覆蓋被提供在相互鄰近的下部電極(21a、21b)之間的有機平坦化層13，並且允許有機平坦化層13被覆蓋有下部電極或抗蝕刻保護層的至少其中一個。如圖6A和6B還示出，藉由不僅在顯示區域的內部61而且在顯示區域的外部66中用抗蝕刻保護層30覆蓋有機平坦化層13直至其邊緣，當使用光刻法把有機化合物層圖案化時變得能夠阻止水滲入到有機平坦化層13中。抗蝕刻保護層30形成在比有機平坦化層13的區域大的區域中，並且與在有機平坦化層下面形成的無機材料膜或基板形成接觸以完全地覆蓋有機平坦化層。為了確保電連接，抗蝕刻保護層30在其中上部電極與電路或配線形成接觸的接觸部分65上以及在其中連接了外部輸入配線的襯墊部分64上被除去。
    當有機平坦化層13被覆蓋有抗蝕刻保護層30時，有利地在形成抗蝕刻保護層30之前預先除去殘留在有機平坦化層13中的水。如果帶有殘留水的有機平坦化層13被覆蓋有抗蝕刻保護層30，那麼由於抗蝕刻層的膜形成時的加熱、有機化合物層的膜形成時的真空加熱、藉由光刻法把有機化合物層圖案化的步驟期間的加熱、以及圖案化之後的真空加熱，導致抗蝕刻保護層30在有些情況下會裂開。因此，在形成抗蝕刻保護層的膜之前，有利地在比形成有機平坦化層之後的步驟的加熱溫度高的溫度加熱有機平坦化層以除去水分。
    例如，當感光聚醯亞胺被用作有機平坦化層13時，在200至300℃加熱約2小時之後，抗蝕刻保護層30被形成以使得覆蓋有機平坦化層13。此外，藉由圖案化形成與圖素驅動電路12的接觸孔(連接孔)之後並且形成下部電極(21a、21b)之前，有機平坦化層13根據需要還可以藉由加熱而被脫水。
    後面將適當參照附圖描述形成抗蝕刻保護層30的其他態樣。
    圖3A、3B、3C和3D是示出放置抗蝕刻保護層的態樣的其他具體示例的示意截面圖。圖3A至3D僅示出每個態樣中的顯示區域。如圖6A和6B中的情況，被提供在顯示區域外的任何有機平坦化膜被使用抗蝕刻保護層30覆蓋至其邊緣。
    圖3A中的態樣如圖1A的情況那樣，是當抗蝕刻保護層30在形成下部電極(21a、21b)之前形成時的具體示例之一。如已經描述的那樣，當在本示例實施例中抗蝕刻保護層30在形成下部電極(21a、21b)之前形成時，抗蝕刻保護層30被如圖3A所示那樣形成為使得覆蓋被提供在至少相互鄰近的下部電極(21a、21b)之間的有機平坦化層13，並且有機平坦化層13被覆蓋有至少抗蝕刻保護層30或下部電極。
    圖3B中的態樣是當有機圖素分離膜15被提供在相互鄰近的下部電極(21a、21b)之間時的具體示例之一。如圖3B所示，當由諸如感光聚醯亞胺之類的有機材料組成的有機圖素分離膜15被提供在基板10上時，抗蝕刻保護層30被形成為覆蓋有機圖素分離膜15。更具體地，在圖3B中的態樣中，形成抗蝕刻保護層30的步驟在形成下部電極(21a、21b)的步驟以及形成有機圖素分離膜15的步驟之後、並且在形成稍後描述的第一有機化合物層的步驟之前被執行。此外在圖3B的情況中，把有機圖素分離膜15圖案化以及在下部電極(21a、21b)上提供開口的步驟、形成抗蝕刻保護層30的步驟、以及按照有機圖素分離膜15中的開口而在抗蝕刻保護層中提供開口的步驟順次地執行。藉由這樣做，抗蝕刻保護層30至少在有機圖素分離膜上(在有機圖素分離膜15上)形成，並且有機平坦化膜13和有機圖素分離膜15被至少覆蓋有抗蝕刻保護層30或下部電極。當有機圖素分離膜15形成時，提供在顯示區域外的電路和配線可以被覆蓋有替代有機平坦化膜13的有機圖素分離膜15。在這種情況下，抗蝕刻保護層30也在比有機圖素分離膜15的邊緣更外側的部分中形成，並且覆蓋有機圖素分離膜15至其邊緣。
    圖3C中的態樣是當抗蝕刻保護層30在形成下部電極(21a、21b)之後形成時的具體示例之一。圖3C中的態樣與圖3B中的態樣的共同之處在於抗蝕刻保護層30在形成下部電極(21a、21b)之後形成，但不同之處在於有機圖素分離膜15是否在形成抗蝕刻保護層30之前形成。在本示例實施例中，抗蝕刻保護層30可以被如圖3C中態樣那樣形成為覆蓋下部電極(21a、21b)的邊緣以及被提供在相互鄰近的下部電極之間的有機平坦化層13而不預先形成有機圖素分離膜15。然而，在本示例實施例中，不需要覆蓋下部電極(21a、21b)的邊緣，並且例如圖3D中示出的那樣，抗蝕刻保護層30可以被形成為只覆蓋被提供在下部電極之間的有機平坦化層13。
    使用主要由氧組成的蝕刻氣體的乾蝕刻用於後面描述的在處理第一有機化合物層的步驟中進行的蝕刻。蝕刻率小於在處理第一有機化合物層的步驟中蝕刻的第一有機化合物層的組成材料的蝕刻率的材料被用作抗蝕刻保護層30的組成材料。抗蝕刻保護層30不需要是由單一材料組成的層。抗蝕刻保護層30可以是藉由在平面內混合多個材料製成的層或由多個層組成的疊層體。
    當使用光刻法製造有機發光裝置時，水有時會滲入到有機平坦化層13中。此處，如果由於光刻法而滲入到有機平坦化層13中的水殘留，那麼當製造有機發光裝置時，在某些情況下水導致發光不均勻、特性劣化、以及週邊亮度劣化。
    因此，抗蝕刻保護層30作為阻止水滲透到有機平坦化層13中的層。具體地，當應用光刻法時，如果有機平坦化層13至少部分暴露，那麼暴露的部分容易吸收水分。因此，在本示例實施例中，在顯示區域中的有機平坦化層13被至少覆蓋有抗蝕刻保護層30或下部電極(21a、21b)。此外，在顯示區域外，抗蝕刻保護層30在比有機平坦化層13的區域更外側的部分內形成，並且與在有機平坦化膜13下的陰極接觸區域或形成於襯墊部分中的無機材料膜形成接觸，或與基板形成接觸，如圖6A和6B所示。因此，有機平坦化層13被完全地覆蓋有抗蝕刻保護層30或下部電極(21a、21b)中的至少任一個。在具有圖素分離膜15的情況下，如圖3B所示，圖素分離膜15也可以被覆蓋有抗蝕刻保護層30。
    此處，為了允許抗蝕刻保護層30作為阻止水的滲透的層，有利地把無機材料用作用於抗蝕刻保護層30的組成材料。該無機材料具體包括諸如氮化矽(SiN)和氧化矽(SiO)之類的絕緣無機材料，以及由被提供在下部電極(21a、21b)上的絕緣層和諸如鋁之類的金屬組成的疊層體。
    然而，用於抗蝕刻保護層30的組成材料不限於無機材料，並且也可以是具有低透水性的有機材料。例如，有機平坦化膜13和有機圖素分離膜15是由諸如具有低透水性的感光聚醯亞胺之類的聚合物材料而形成的，並且在其表面上進行使用Ne/Ar的等離子體處理以形成表面交叉耦合層，該層也能夠用作抗蝕刻保護層30。
    除以上條件外，選擇其蝕刻率小於用於在稍後步驟中形成的第一有機化合物層22a的組成材料的蝕刻率的材料作為用於抗蝕刻保護層30的組成材料。 (形成下部電極的步驟)
    雖然取決於示例實施例，但本示例實施例中用於製造有機發光裝置的方法在形成抗蝕刻保護層30之前或在形成抗蝕刻保護層30之後在基板10上形成下部電極(21a、21b)(圖1A)。後面將描述製造頂部發射型的有機發光裝置的情況，但是本發明的應用不限於頂部發射型的有機發光裝置。
    下部電極(21a、21b)能夠由允許把載子提供給有機化合物層的材料形成。當製造頂部發射型的有機發光裝置時，下部電極(21a、21b)由諸如Al、Ag、Au、Pt以及Cr那樣的具有高光反射率的金屬材料或諸如把多種這些金屬材料組合的合金之類的光反射材料形成。還可以利用把銦錫氧化物或銦鋅氧化物的透明電極疊層在包含這些金屬材料的層上的疊層電極。當藉由光刻法把有機化合物層圖案化時，這些下部電極和抗蝕刻保護層一起阻止水滲透到有機平坦化層13中。因此，金屬材料的膜厚度也能夠根據需要被增厚至數百nm。
    下部電極(21a、21b)是逐圖素地個別提供的電極。此處，當下部電極(21a、21b)形成時，由前述的電極材料組成的薄膜形成，並且隨後被圖案化為期望的形狀以形成下部電極(21a、21b)。當把由電極材料組成的薄膜圖案化時，能夠使用形成圖案的已知方法。 (形成有機圖素分離膜的步驟)
    形成有機圖素分離膜15的步驟可以在形成下部電極(21a、21b)之後執行並且如果需要的話在執行形成第一有機化合物層的步驟之前執行。此處，當有機圖素分離膜15形成時，為了保護有機圖素分離膜15不受乾蝕刻，有利地在形成有機圖素分離膜15的步驟之後執行形成抗蝕刻保護層30的步驟。在形成有機圖素分離膜15的步驟中形成的有機圖素分離膜15是覆蓋第一下部電極21a和第二下部電極21b的相應邊緣的部件。在形成抗蝕刻保護層的步驟中形成的抗蝕刻保護層30有利地至少在有機圖素分離膜15上形成。
    當有機圖素分離膜15形成時，用於有機圖素分離膜15的組成材料不特別地受限制，只要是有機材料即可。用於有機平坦化層13的組成材料可以用作用於有機圖素分離膜15的組成材料。 (形成第一有機化合物層的步驟)
    在形成下部電極(21a、21b)之後，在包含於有機發光裝置的顯示區域的全部表面上形成第一有機化合物層22a(圖1B)。
    第一有機化合物層22a是至少具有發光層的單層或由多個層所組成的疊層體。此處當第一有機化合物層22a由多個層組成時，在第一有機化合物層22a中包括除發光層以外的諸如電洞注入層、電洞輸送層、電洞阻止層、電子阻止層、電子輸送層以及電子注入層之類的功能層中的任何一個。
    第一有機化合物層22a的組成態樣包括，例如，(陰極/)電子輸送層/發光層/電洞輸送層/電洞注入層(/陽極)，但本發明不限於此。
    第一有機化合物層22a的膜厚度不特別地限定，並且有利地為從數十nm至數百nm。包含第一有機化合物層22a的有機化合物層的膜厚度能夠藉由例如光學干涉距離來確定。此處當有機化合物層的膜厚度藉由光學干涉距離而被確定時，每個發光顏色內的光學干涉距離是不同的，並且因此有機化合物層的膜厚度根據該光學干涉距離而在每個發光顏色內不同。
    低分子材料和聚合物材料能夠被用作用於包含在第一有機化合物層22a中的發光層的材料。構成第一有機化合物層22a的每個層的膜能夠根據其材料和想要的用途，藉由選擇諸如藉由真空沈積法、旋塗法、和噴墨法的施加方法之類的已知方法而形成。
    此處，三芳胺衍生物、二苯乙烯衍生物、聚亞芳基(polyarylenc)、芳香稠多環化合物、芳族雜環化合物、芳香雜環稠環化合物、金屬配位元化合物、以及其單低聚物和多低聚物能夠被用作作為用於發光層的組成材料的低分子材料。然而，本發明不限於此。
    此外，聚對苯乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚對苯衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚茀衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、以及藉由聚合上述低分子材料而獲得的產物能夠被用作作為用於發光層的組成材料的基於聚合物的材料。然而，本發明不限於此。
    此外，當第一有機化合物層22a包含除發光層以外的層，例如，電洞注入層、電洞輸送層、電子阻止層等等時，用於電洞注入/輸送的已知材料能夠被用作用於這些層的組成材料。此外當第一有機化合物層22a包含除發光層以外的層，例如，電子注入層、電子輸送層、電洞阻止層等等時，用於電子注入/輸送的已知材料能夠被用作這些層的組成材料。 (處理第一有機化合物層的步驟)
    第一有機化合物層22a是在如上述那樣形成第一有機化合物層22a之後藉由執行預定的圖案化來處理的(圖1B至1C)。具體地，除去在形成第一有機化合物層22a的前一步驟中在第二下部電極21b上形成的第一有機化合物層22a。此處，處理第一有機化合物層的步驟有利地根據以下步驟(1a)至(1h)而執行，但是本發明不限於以下步驟(1a)至(1h)中描述的處理。
    (1a)形成剝離層(release layer)的步驟，其中水溶性剝離層在第一有機化合物層上形成；(1b)形成保護層的步驟，其中由無機材料組成的保護層在剝離層上形成；(1c)形成抗蝕劑層的步驟，其中抗蝕劑材料的膜在保護層上形成；(1d)處理抗蝕劑層的步驟，其中抗蝕劑層被圖案化；(1e)藉由乾蝕刻來除去提供在至少第二下部電極上的保護層、剝離層、以及第一有機化合物層的步驟；(1f)藉由乾蝕刻來除去提供在至少第二下部電極上的保護層的步驟；(1g)藉由乾蝕刻來除去提供在至少第二下部電極上的剝離層的步驟；以及(1h)藉由乾蝕刻來除去提供在至少第二下部電極上的第一有機化合物層的步驟。
    此處，第一有機化合物層22a是藉由組合使用光刻步驟和乾蝕刻步驟而被處理(圖案化)的。
    首先，在光刻步驟中能夠使用諸如曝光裝置(如鏡像投影光罩對準器(MPA)和步進器)之類的已知步驟。
    此處，當把第一有機化合物層22a圖案化時，如果第一有機化合物層22a不溶解於包含抗蝕劑材料的溶液中，那麼可以把包含抗蝕劑材料的溶液直接塗抹到可以被圖案化的第一有機化合物層22a上。
    另一方面，如果第一有機化合物層22a溶解於包含抗蝕劑材料的溶液中，那麼在把含有抗蝕劑材料的溶液塗抹到第一有機化合物層22a上之前，提供保護第一有機化合物層22a的層。例如，如圖1B所示，剝離層31和耐抗蝕劑保護層32被順次提供在第一有機化合物層22a上以保護第一有機化合物層22a免受含有抗蝕劑材料的溶液影響。剝離層31是被提供用於在完成第一有機化合物層22a的處理之後有效地除去保護層32的層。與用於第一有機化合物層22a的組成材料形成對比，用於剝離層31的組成材料選擇性地溶解於特定的溶劑。換言之，第一有機化合物層22a幾乎不溶解於用於除去剝離層31的溶劑中。此處，例如水溶性聚合物材料能夠用作用於剝離層31的組成材料。此外，諸如聚乙烯醇(PVA)、聚丙烯酸系聚合物、聚乙二醇(PEG)、聚環氧乙烷(PEO)、以及聚乙烯吡咯烷酮(PVP)之類的已知材料能夠被用作用於剝離層31的組成材料的水溶性聚合物材料的具體示例。
    用於保護層32的組成材料包括無機材料。在能夠是用於保護層32的組成材料的無機材料中，能夠保護剝離層31和第一有機化合物層22a免受濕法步驟(如使用抗蝕劑材料的光刻步驟)的影響的材料是有利的。諸如氧化矽(SiO2)膜、氮化矽(SiN)膜、以及氮氧化矽(SiON)膜之類的已知無機材料能夠用作滿足上述要求的材料，但是本發明不限於此。保護層32的膜能夠使用諸如塗抹法或印刷法之類的已知方法來形成。
    在形成保護層32之後，含有抗蝕劑材料的溶液被塗抹到保護層32上以形成抗蝕劑層33。執行曝光和顯影以使得殘留有在形成第一有機化合物層的區域(即提供第一圖素的區域)內形成的抗蝕劑層33，並且隨後執行藉由使用蝕刻氣體40的乾蝕刻的圖案化(如圖1C)。
    此處，當圖案化藉由乾蝕刻執行時，如圖1C所示的殘留的抗蝕劑層33被用作光罩，並且被提供在第二下部電極21b上的保護層32、剝離層31、以及第一有機化合物層22a按照這樣的順序被除去。
    藉由化學蝕刻進行的方法以及藉由物理蝕刻進行的方法被利用於乾蝕刻。此處，化學蝕刻是指使用用於形成在基板上的膜材料的蝕刻氣體(比如氧氣或氟基氣體如CF4)的化學反應性的蝕刻方法。物理蝕刻是指使用藉由允許氣體(例如氬氣)的分子與形成在基板上的膜材料碰撞的物理特性的蝕刻方法。
    在本示例實施例中，當蝕刻第一有機化合物層22a時，有利地使用氧氣作為蝕刻氣體來進行化學蝕刻。然而如果必要，氧氣以外的氣體，例如，氬氣或氟基氣體可以混合在蝕刻氣體內以便增強針對抗蝕刻保護層30的蝕刻的選擇性。
    當蝕刻第一有機化合物層22a時，必需完全地除去形成在第二下部電極21b上的第一有機化合物層22a。然而，由於第一有機化合物層22a的膜厚度不均勻以及在第一有機化合物層22a的處理中的蝕刻不均勻，所以在有些情況下，第一有機化合物層22a的膜部分地殘留在第二下部電極21b上。如果第一有機化合物層22a的膜部分地殘留在第二下部電極21b上，那麼當從第二下部電極21b注入電子時引起注入失敗，並且當第二有機化合物層22b形成時引起發光不均勻。
    因此，當對第一有機化合物層22a執行乾蝕刻時，必需使針對第一有機化合物層22a的蝕刻時間被估算為顯著長於根據形成的第一有機化合物層22a的膜厚度和蝕刻率計算出的蝕刻時間。具體地，有利地估算蝕刻時間用於過蝕刻相對於第一有機化合物層22a的膜厚度達到額外的10%到30%膜厚度。
    此處，將適當參照附圖描述當抗蝕刻保護層30被提供在有機平坦化層13上或有機圖素分離膜15上時的效果。
    圖4A、4B和4C是示出在不提供抗蝕刻保護層的情況下處理第一有機化合物層的外觀的示意截面圖。圖4A、4B和4C還示出了相對於圖1A、1B和1C以及圖2A、2B和2C中示出的示例實施例的比較實施例。
    如圖4A所示，當抗蝕刻保護層30不被提供在組成基板10的有機平坦化層13上時，如果乾蝕刻如同圖1C那樣執行，那麼提供在將被蝕刻的區域內的有機化合物層22a被蝕刻。如果如上述那樣執行過蝕刻，那麼提供在將被蝕刻的區域內的有機平坦化層13也被蝕刻。因此，如圖4B所示那樣藉由蝕刻在有機平坦化層13中產生凹陷13a，並且由於該凹陷13a，在有機平坦化層13內產生過度不平坦。因此，如圖4C所示，在形成共用電極(上部電極23)時，第二有機化合物層22b和共用電極不連續並且它們的膜厚度變薄。當第二有機化合物層22b和共用電極不連續並且它們的膜厚度變薄時，造成電流供給失敗和諸如漏電和短路之類的故障。
    相反地，在本示例實施例中，抗蝕刻保護層30被提供在有機平坦化層13或有機圖素分離膜15上。這能夠在對第一有機化合物層乾蝕刻時避免被提供在相互鄰近的下部電極(21a、21b)之間的有機平坦化層13和有機圖素分離膜15被蝕刻。抗蝕刻保護層30的蝕刻率小於第一有機化合物層22a的蝕刻率。因此，即使抗蝕刻保護層30的某些部分藉由過蝕刻而被蝕刻，由此蝕刻產生的不平坦度也非常小。因此，當第二有機化合物層22b和作為共用電極的上部電極23在隨後步驟中形成時，能夠排除電流難以供給和發生諸如漏電和短路之類的故障。 (形成第二有機化合物層的步驟)
    第二有機化合物層22b的膜形成在其中如前述那樣組合使用光刻步驟和乾蝕刻步驟除去了第一有機化合物層22a的區域內(圖2A)。這使得能夠在第一下部電極21a和第二下部電極21b上形成發出不同發光顏色的有機化合物層(22a、22b)。因此，把有機化合物層圖案化變為可能。當第二有機化合物層22b的膜形成時，第二有機化合物層22b可以如圖2A所示那樣在第一有機化合物層22a上形成。當第二有機化合物層形成時，有利地在執行用於處理第一有機化合物層的前述步驟(1a)至(1h)之後，執行以下步驟(2a)和(2b)：(2a)在第二下部電極上形成第二有機化合物層的步驟，以及(2b)藉由把這些層浸入在剝離層可溶於其中的溶劑中，除去至少形成在第一下部電極上的保護層連同形成在保護層上的第二有機層的步驟。
    當要被製造的有機發光裝置中包含三種或更多種圖素時，根據圖素的類型，適當添加處理有機化合物層的步驟以及形成其他有機化合物層的步驟。基本上，處理有機化合物層的步驟與前述的處理第一有機化合物層的步驟相同。形成其他有機化合物層的步驟基本上與前述的形成第二有機化合物層的步驟相同。具有期望的發光顏色的有機化合物層能夠藉由這樣重復處理有機化合物層的步驟和形成其他有機化合物層的步驟而因此被圖案化。例如，能夠使用三種具有發光顏色(分別是藍、綠、和紅)的圖素來製造全色有機發光裝置。 (除去保護層和剝離層的步驟)
    隨後，基板10被浸入在剝離層31選擇性地溶解於其中的溶劑中以溶解剝離層31並且剝去保護層32(圖2B)。當剝離層31被剝去時，使用超聲波和二元流體可以便於溶液的滲透以及保護層的剝離。藉由如上述那樣除去保護層32和剝離層31，有機化合物層能夠如圖2B所示那樣被圖案化。
    除去保護層32和剝離層31的方法不限於前述的藉由剝離來除去的方法。例如，在處理有機化合物層的步驟總體上完成之後，保護層32和剝離層31能夠藉由乾蝕刻被依序除去。
    在前述示例實施例中，在把有機化合物層圖案化中的光刻步驟中當水溶性聚合物材料形成時以及當執行剝去時，基板暴露於水，但在本示例實施例中，由於有機平坦化層被覆蓋有下部電極和抗蝕刻保護層，所以能夠防止水的滲透。 (形成共用層和共用電極的步驟)
    作為共用電極的上部電極23在藉由前述步驟總體上完成有機化合物層的圖案化之後形成(如圖2C)。考慮到從有機化合物層(22a、22b)發出的光的取出方向，共用電極(上部電極23)為透明電極或反射電極。當上部電極23為透明電極時，諸如銦錫氧化物和銦鋅氧化物之類的透明導電材料能夠被用作其組成材料。同時，當上部電極23為反射電極時，能夠使用諸如具有高的光反射率的Ag、Al之類的金屬單體以及包含多個金屬單體的合金。通常使用汽相沈積法或濺射法作為形成作為共用電極的上部電極23的方法。
    在形成上部電極23之前，可以形成共用層，比如電子注入層。當形成電子注入層時，電子注入層透過以下(a)或(b)中所示的方法形成：(a)從鹼金屬、鹼土金屬或其化合物形成約0.5 nm至5 nm的單層薄膜的方法，或(b)把鹼金屬、鹼土金屬或其化合物與有機材料(作為電子注入材料的有機材料)共同汽相沈積的方法。
    用作用於電子注入層的組成材料的鹼金屬、鹼土金屬或其化合物可以直接包含在上部電極23中。在這種情況下，當上部電極23形成時，陰極材料(如Ag)以及具有低工作指數的金屬材料(如Mg)被共同汽相沈積以形成作為上部電極23的電極薄膜。 (密封步驟)
    在形成上部電極23之後，有機發光裝置本身被密封，以便防止空氣中的氧和水滲透到有機發光裝置中。這就完成了有機發光裝置。在本示例實施例中，用於密封的具體方法不特別地限定，並且可能使用吸濕劑和玻璃蓋來密封有機發光裝置，並且當氮化矽(SiN)膜用於防潮層時，使防潮層加厚至約1μm至10μm的膜可以被用作密封膜。 (有機發光裝置)
    藉由本示例實施例的製造方法製造的有機發光裝置1例如是具有兩種圖素(即，如圖2C中所示的第一圖素2a和第二圖素2b)的有機發光裝置。第一圖素2a由第一下部電極21a、具有至少發光層的第一有機化合物層22a、以及第一上部電極組成。另一方面，第二圖素2b由第二下部電極21b、具有至少發光層的第二有機化合物層22b、以及第二上部電極組成。此處，第一上部電極和第二上部電極是被提供在基板上的所有圖素共用的共用電極層的部分(即，如圖2C中所示的上部電極23的部分)。
    在圖2C中的有機發光裝置1中，第一圖素2a的平面區域是指包括接觸孔16a的第一下部電極21a的全部區域。此外在圖2C中的有機發光裝置1中，第二圖素2b的平面區域是指包括接觸孔16b的第二下部電極21b的全部區域。同時，如圖3B和3C中所示，當抗蝕刻保護層30被提供在下部電極(21a、21b)上時，每個圖素(2a、2b)的平面區域被定義如下。更具體地，具有包含在每個圖素(2a、2b)中的下部電極(21a、21b)的平面區域中的不覆蓋有抗蝕刻保護層30的區域為圖素的平面區域。
    在如圖2C中所示的有機發光裝置1中，第一圖素2a和第二圖素2b被逐一地提供在基板10上。然而，在藉由本示例實施例的製造方法製造的有機發光裝置中，在基板上提供多個圖素，即至少第一圖素和第二圖素的至少多個圖素。在本示例實施例中，圖素的種類不特別地限定。
    後面將參照示例描述本發明，但本發明不限於此。 [示例1]
    具有三種圖素的有機發光裝置是藉由後面描述的處理製造的。圖5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L、和5M是示出本示例中的有機發光裝置的製造處理的示意截面圖。 (1)基板
    有機發光裝置是使用基板10製造的，在該基板10中由TFT和配線組成的圖素驅動電路12以及有機平坦化膜13被順次地提供在玻璃基板(基體11)上。如圖5A所示，除基體11、圖素驅動電路12以及有機平坦化層13之外，絕緣層14也包含在本示例中使用的基板10中。 (2)形成抗蝕刻保護層的步驟
    首先，有機平坦化膜13被形成在玻璃基板(在玻璃基板上面順次提供由電晶體和配線組成的圖素驅動電路12)上。感光聚醯亞胺被用於有機平坦化層13。該基板10在真空中在250℃被加熱兩小時，並且隨後在100℃溫度在有機平坦化層13上形成SiN膜以形成抗蝕刻保護層30，以使得有機平坦化層13被完全地覆蓋。這時，抗蝕刻保護層的膜厚度為1000 nm。
    隨後，利用光刻處理，在抗蝕刻保護層30以及有機平坦化層13中的預定區域內形成接觸孔16。該接觸孔16被提供用於把圖素驅動電路12電氣地連接到下部電極(21a、21b、21c)。 (3)形成下部電極的步驟
    在形成接觸孔16之後，在高於1×10-3 Pa的真空環境下在150℃執行真空加熱30分鐘以除去當形成接觸孔16時的水。隨後，Ag膜和銦鋅氧化物膜依次在抗蝕刻保護層30上疊層以形成疊層薄膜。Ag膜的膜厚度為100nm並且銦鋅氧化物膜的膜厚度為20nm。隨後，藉由使用光刻處理的圖案化，分別在預定區域內形成第一下部電極21a、第二下部電極21b、和第三下部電極21c(圖5A)。第一下部電極21a、第二下部電極21b和第三下部電極21c充當陽極。這時，有機平坦化層13被抗蝕刻保護層30、第一下部電極21a、第二下部電極21b、以及第三下部電極21c完全覆蓋。
    隨後，在其上面已經形成下部電極(第一下部電極21a、第二下部電極21b、和第三下部電極21c)的基板被導入到真空成膜裝置中。然後，藉由在真空成膜裝置內在120℃真空烘烤5分鐘來進行脫水處理，並且藉由把乾燥空氣導入到真空成膜裝置中以UV臭氧處理10分鐘來清潔下部電極的表面。 (4)形成第一有機化合物層的步驟
    在清潔基板10之後，在整個顯示區域形成第一有機化合物層22a(其中電洞輸送層、紅色發光層、以及電子輸送層依次疊層)(圖5B)。這時，第一有機化合物層22a的總膜厚度為250nm。 (5)形成剝離層的步驟
    隨後，聚乙烯吡咯烷酮(PVP)以按重量百分比5%的最終濃度在純水中溶解以製備PVP水溶液。
    隨後，把先前製備的PVP水溶液完全塗抹到第一有機化合物層22a上以形成PVP薄膜。然後，該PVP薄膜在100℃進行10分鐘的熱處理以形成剝離層31(圖5C)。這時，剝離層31的膜厚度約為0.5μm。 (6)形成保護層的步驟
    隨後，在把其上面形成剝離層31的基板導入CVD成膜裝置之後，形成氮化矽(SiN)膜以形成保護層32(圖5D)。這時，保護層32的膜厚度為2μm。 (7)形成抗蝕劑層的步驟
    隨後，藉由旋塗法把包含抗蝕劑材料的溶液塗抹到保護層32上，並且在120℃加熱10分鐘以形成抗蝕劑層33(圖5E)。這時，抗蝕劑層33的膜厚度為1μm。 (8)曝光/顯影的步驟
    隨後，基板被設置在MPA(曝光裝置)內，使用預定的遮光光罩進行曝光以使得抗蝕劑殘留在期望的下部電極上的預定區域內。隨後，使用顯影劑(商標名稱：NMD-3，東京應化公司製造)進行顯影，然後，藉由用水沖洗除去提供在其中抗蝕劑要被殘留的區域以外的區域內的抗蝕劑。 (9)處理第一有機化合物層的步驟
    隨後，在把基板10放置到乾蝕刻裝置內之後，藉由使用CF4等離子體的蝕刻(乾蝕刻)來除去提供在其中抗蝕劑層33已被除去的區域內的保護層32。隨後，藉由使用氧等離子體的蝕刻，依序除去被提供在其中抗蝕劑層33已被除去的區域內的剝離層31和第一有機化合物層22a(圖5F)。在蝕刻時，實際蝕刻時間為比從剝離層31以及第一有機化合物層22a的膜厚度和蝕刻率理論上計算出的蝕刻時間增加了20%的時段。當計算實際蝕刻時間時，藉由把剝離層31以及第一有機化合物層22a的膜厚度分別設定為0.5μm和250nm來計算蝕刻時間。
    藉由該蝕刻處理第一有機化合物層22a之後的蝕刻邊緣的不平坦度是剝離層31的膜厚度以及第一有機化合物層22a的膜厚度的和。因此，發現在處理第一有機化合物層22a的步驟中，抗蝕刻保護層30幾乎不被蝕刻。 (10)形成第二有機化合物層的步驟
    隨後，在完成第一有機化合物層的處理之後，具有以期望的圖案形成的第一有機化合物層22a的基板10被導入到真空成膜裝置內。然後，第二有機化合物層22b(其中電洞注入層、電洞輸送層、綠色發光層、以及電子輸送層依次疊層)至少在第二下部電極21b上形成(圖5G)。這時，第二有機化合物層22b的膜厚度為200nm。 (11)處理第二有機化合物層的步驟
    隨後，基板10被浸入其中加入了純水的玻璃容器內，並且使用超音波振動器溶解PVP薄膜以剝離保護層32(SiN膜)，也連同剝離層31和保護層32一起剝離和除去形成在保護層32上的第二有機化合物層22b(圖5H)。
    隨後，以如處理第一有機化合物層22a的步驟中相同的方式，剝離層31(PVP)和保護層32(SiN膜)的膜依次形成(圖5I)。然後，使用光刻法和乾蝕刻來除去在第三下部電極21c上形成的保護層32、剝離層31、以及第二有機化合物層22b(圖5J)。
    這時，如處理第一有機化合物層22a的情況那樣，用於進行乾蝕刻的時段為比從剝離層31以及第二有機化合物層22b的膜厚度和蝕刻率理論上計算出的蝕刻時間增加了20%的蝕刻時間。
    藉由該蝕刻處理第二有機化合物層22b之後的蝕刻邊緣的不平坦度是剝離層31的膜厚度以及第二有機化合物層22b的膜厚度的和。因此，發現在處理第二有機化合物層22b的步驟中，抗蝕刻保護層30幾乎不被蝕刻。 (12)形成第三有機化合物層的步驟
    隨後，在完成第二有機化合物層的處理之後，具有以期望的圖案形成的第二有機化合物層22b的基板10被導入到真空成膜裝置內。然後，第三有機化合物層22c(其中電洞注入層、電洞輸送層、藍色發光層、以及電子輸送層依次疊層)至少在第三下部電極(圖中未示出)上形成(圖5K)。這時，第三有機化合物層22c的總膜厚度為140nm。 (13)處理第三有機化合物層的步驟
    隨後，基板10被浸入其中加入了純水的玻璃容器內，並且使用超音波振動器溶解PVP薄膜以剝離保護層32(SiN膜)，也連同剝離層31和保護層32一起剝離和除去形成在保護層32上的第三有機化合物層22c。這使得第一有機化合物層22a、第二有機化合物層22b、和第三有機化合物層22c的表面暴露(圖5L)。 (14)形成共用層的步驟
    隨後，其上提供了三種有機化合物層的基板10被導入真空，在100℃加熱處理30分鐘，熱量充分被釋放，然後依序地形成電子輸送層(圖中未示出)和電子注入層(圖中未示出)的膜。 (15)形成上部電極的步驟
    隨後，藉由濺射法在電子注入層上形成Ag膜以形成上部電極23(圖5M)。這時，上部電極23的膜厚度為12nm。 (16)密封步驟
    最後，藉由CVD成膜在基板10上形成SiN膜以密封有機發光裝置。這時，SiN膜的膜厚度為6μm。
    如前面所述，獲得了有機發光裝置。 (17)有機發光裝置的評價
    針對所獲得的有機發光裝置，施加直流電以發光，並且確認了在平面內均勻的發光特性。 [示例2]
    以與示例1中同樣的方式(除了用圖3B中所示的基板代替圖1A中所示的基板以外)製造有機發光裝置。後面將在不同於示例1的方面描述本示例。 (製造下部電極的步驟)
    首先，製備與示例1(1)中描述的基板10相同的基板。隨後，按照與示例1(3)中的同樣的方式，在有機平坦化膜上以期望的圖案形成第一下部電極21a、第二下部電極22b、和第三下部電極(圖中未示出)。 (製造有機圖素分離膜的步驟)
    隨後，藉由塗抹包含感光聚醯亞胺的溶液以及使塗層膜乾燥來形成感光聚醯亞胺膜。這時，感光聚醯亞胺膜的膜厚度為2μm。隨後，使感光聚合物膜暴露並且顯影以形成在每個下部電極上具有期望的尺寸的開口的有機圖素分離膜15。 (形成抗蝕刻保護層的步驟)
    在製造具有有機圖素分離膜的基板之後，該基板隨後在250℃真空烘烤2小時，隨後在具有有機圖素分離膜的該基板上以完全覆蓋有機圖素分離膜和有機平坦化層那樣的方式形成氧化矽(SiO2)膜。這時，SiO2膜的膜厚度為100nm。然後，根據有機圖素分離膜的形狀，藉由把該SiO2膜圖案化來在具有有機圖素分離膜的區域內形成抗蝕刻保護層30。當在本示例中處理有機化合物層的步驟中在與示例1中的相同的條件下進行蝕刻時，在本示例中形成的抗蝕刻保護層30不被蝕刻。 (有機發光裝置的評價)
    針對所獲得的有機發光裝置，如示例1那樣施加直流電以發光，並且確認了在平面內均勻的發光特性。 [比較示例1]
    以與示例1中同樣的方式(除了用圖4A中所示的基板代替圖1A中所示的基板)製造有機發光裝置。更具體地，在本比較示例1中，以與示例1中同樣的方式(除了示例1(2)中的形成抗蝕刻保護層的步驟被省略以外)製造有機發光裝置。
    當在本比較示例中的處理有機化合物層的步驟中在與示例1中相同的條件下進行蝕刻時，包含在基板10中的有機平坦化層13的一部分，具體而言是存在於處理有機化合物層的區域中的有機平坦化層13被蝕刻。此處，當第一有機化合物層22a被蝕刻時，藉由蝕刻在蝕刻邊緣內產生的不平坦度為160μm，以及當第二有機化合物層22b被蝕刻時為320μm。 (有機發光裝置的評價)
    針對所獲得的有機發光裝置，如示例1那樣施加直流電以發光，並且確認有時存在不發光圖素以及從發光圖素的週邊起亮度開始劣化。
    在SEM上觀察本比較示例的有機發光裝置中存在的不發光圖素的截面，並且如圖4C中所示在被蝕刻的有機平坦化膜的部分中出現不平坦，並且在具有不平坦的該部分中共用電極斷裂。還確認下部電極與上部電極形成接觸而引起短路。
    雖然參照示例實施例描述了本發明，但是應當理解本發明並不限於所公開的示例實施例。所附申請專利範圍係被賦予最廣泛的解釋以包含所有修改、等同結構以及功能。
    10‧‧‧基板
    11‧‧‧基體
    12‧‧‧圖素驅動電路
    13‧‧‧有機平坦化層
    13a‧‧‧凹陷
    14‧‧‧絕緣層
    15‧‧‧有機圖素分離膜
    16‧‧‧接觸孔
    16a‧‧‧接觸孔
    16b‧‧‧接觸孔
    21a‧‧‧下部電極
    21b‧‧‧下部電極
    21c‧‧‧下部電極
    22a‧‧‧第一有機化合物層
    22b‧‧‧第二有機化合物層
    22c‧‧‧第三有機化合物層
    23‧‧‧上部電極
    30‧‧‧抗蝕刻保護層
    31‧‧‧剝離層
    32‧‧‧保護層
    33‧‧‧抗蝕劑層
    40‧‧‧蝕刻氣體
    61‧‧‧顯示區域內部
    64‧‧‧襯墊部分
    65‧‧‧接觸部分
    66‧‧‧顯示區域外部
    包含於說明書中並且構成說明書的一部分的附圖示出本發明的示例實施例、特徵以及態樣，並且連同描述一起用於解釋本發明的原理。
    圖1A、1B和1C是表示形成和處理第一有機化合物層的膜的步驟的具體範例的示意截面圖。
    圖2A、2B和2C是表示形成和處理第二有機化合物層的膜的步驟以及處理共用電極的步驟的具體範例的示意截面圖。
    圖3A、3B、3C以及3D是表示置放抗蝕刻保護層的態樣的其他具體範例的示意截面圖。
    圖4A、4B和4C是表示當在不提供抗蝕刻保護層的情況下處理第一有機化合物層時的外觀的示意截面圖。
    圖5A、5B、5C、5D、5E、5F、5G、5H、5I、5J、5K、5L和5M是表示製造示例1中的有機發光裝置的過程的示意截面圖。
    圖6A和6B是示出在示例1中置放有機平坦化層、抗蝕刻保護層以及圖素電極的態樣的具體範例的示意截面圖。
    33‧‧‧抗蝕劑層
    40‧‧‧蝕刻氣體
    权利要求:
    Claims (18)
    [1] 一種在具有有機平坦化層的基板上製造發光裝置的方法，該發光裝置包括多個有機發光元件，每個有機發光元件包括：包含至少發光層的有機化合物層以及將載子提供給該有機化合物層的電極，該方法包括：在具有有機平坦化層的基板上形成抗蝕刻保護層的步驟；在抗蝕刻保護層上形成多個電極的步驟；在具有該多個電極的基板上形成有機化合物層的步驟；使用光刻法在形成於該多個電極中的部分電極上的有機化合物層上形成抗蝕劑層的步驟；以及藉由乾蝕刻除去在未覆蓋有抗蝕劑層的區域中的有機化合物層的步驟，其中，在以上執行了直到形成多個電極的步驟的各個步驟的基板上的有機平坦化層的全部表面被覆蓋有抗蝕刻保護層和電極之兩者中的至少一個。
    [2] 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，抗蝕刻保護層由蝕刻率小於在藉由乾蝕刻除去有機化合物層的步驟中的有機化合物層的蝕刻率的材料形成。
    [3] 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，抗蝕刻保護層由絕緣無機材料形成。
    [4] 根據申請專利範圍第3項所述的方法，其中，抗蝕刻保護層由氮化矽或氧化矽形成。
    [5] 根據申請專利範圍第1項所述的方法，還包括在形成抗蝕刻保護層的步驟之前將有機平坦化層脫水的步驟。
    [6] 根據申請專利範圍第1項所述的方法，還包括：在形成抗蝕刻保護層的步驟之後並且在形成多個電極的步驟之前，在有機平坦化層和抗蝕刻保護層中形成接觸孔的步驟；以及在形成接觸孔的步驟之後並且在形成多個電極的步驟之前，將有機平坦化層脫水的步驟。
    [7] 根據申請專利範圍第1項所述的方法，其中，使用光刻法形成抗蝕劑層的步驟包括：在有機化合物層上形成保護層的步驟以及在保護層上形成抗蝕劑層的步驟，以及其中，藉由乾蝕刻除去有機化合物層的步驟包括除去不具有抗蝕劑層的區域中的保護層的步驟。
    [8] 根據申請專利範圍第7項所述的方法，其中，保護層為其中從有機化合物層的一側層疊由水溶性聚合物材料組成的層以及由無機材料組成的層之層。
    [9] 一種在具有有機平坦化層的基板上製造發光裝置的方法，該發光裝置包括多個有機發光元件，每個有機發光元件包括：包含至少發光層的有機化合物層以及將載子提供給該有機化合物層的電極，該方法包括：在具有有機平坦化層的基板上形成多個電極的步驟；形成覆蓋多個電極的邊緣的有機圖素分離膜的步驟；在有機圖素分離膜和有機平坦化層上形成抗蝕刻保護層的步驟；在多個電極上形成有機化合物層的步驟；使用光刻法在形成於多個電極中的部分電極上的有機化合物層上形成抗蝕劑層的步驟；以及藉由乾蝕刻除去在不覆蓋有抗蝕劑層的區域中的有機化合物層的步驟，其中，在以上執行了直到形成抗蝕刻保護層的步驟的各個步驟的基板上的有機平坦化層和有機圖素分離膜的全部表面被覆蓋有抗蝕刻保護層和電極之兩者中的至少一個。
    [10] 根據申請專利範圍第9項所述的方法，其中，抗蝕刻保護層由蝕刻率小於在藉由乾蝕刻除去有機化合物層的步驟中的有機化合物層的蝕刻率的材料形成。
    [11] 根據申請專利範圍第9項所述的方法，其中，抗蝕刻保護層由絕緣無機材料形成。
    [12] 根據申請專利範圍第11項所述的方法，其中，抗蝕刻保護層由氮化矽或氧化矽形成。
    [13] 一種製造有機發光裝置的方法，其中多個第一圖素和多個第二圖素被分別提供在包含有機平坦化層的基板上，其中第一圖素包括：第一下部電極、包含至少發光層的第一有機化合物層、以及第一上部電極，其中第二圖素包括：第二下部電極、包含至少發光層的第二有機化合物層，以及第二上部電極，以及其中第一上部電極和第二上部電極是提供在基板上的所有圖素共用的共用電極，該方法包括至少：製備具有有機平坦化層的基板的步驟；形成下部電極的步驟，其中形成第一下部電極和第二下部電極；以覆蓋第一下部電極和第二下部電極的方式形成第一有機化合物層的步驟；處理第一有機化合物層的步驟，其中藉由光刻法和乾蝕刻除去形成在第二下部電極上的第一有機化合物層；以及形成第二有機化合物層的步驟，其中，第二有機化合物層在處理第一有機化合物層的步驟之後形成，並且該方法還包括：形成抗蝕刻保護層的步驟，其中，在形成第一有機化合物層的步驟之前提供抗蝕刻保護層以使得有機平坦化層被覆蓋有下部電極和抗蝕刻保護層中的至少一個，其中，抗蝕刻保護層的蝕刻率低於在處理第一有機化合物層的步驟中的第一有機化合物層的蝕刻率。
    [14] 根據申請專利範圍第13項所述的方法，還在形成下部電極的步驟和形成第一有機化合物層的步驟之間依次包括形成有機圖素分離膜的步驟以及形成抗蝕刻保護層的步驟，其中，在形成有機圖素分離膜的步驟中形成的有機圖素分離膜分別覆蓋第一下部電極和第二下部電極的邊緣，以及其中，在形成抗蝕刻保護層的步驟中形成的抗蝕刻保護層是以覆蓋有機圖素分離膜和有機平坦化層的方式在有機圖素分離膜上形成的。
    [15] 根據申請專利範圍第13項所述的方法，其中該方法包括：在形成下部電極的步驟和形成第一有機化合物層的步驟之間的形成抗蝕刻保護層的步驟，以及其中在形成抗蝕刻保護層的步驟中，抗蝕刻保護層覆蓋第一下部電極和第二下部電極的邊緣。
    [16] 根據申請專利範圍第13項所述的方法，其中該方法包括：在形成下部電極的步驟以及形成第一有機化合物層的步驟之間的形成抗蝕刻保護層的步驟，以及其中在形成抗蝕刻保護層的步驟中，抗蝕刻保護層是在第一下部電極和第二下部電極之間形成的。
    [17] 根據申請專利範圍第13項所述的方法，其中，抗蝕刻保護層是由無機材料組成的層。
    [18] 根據申請專利範圍第13項所述的方法，其中，形成第一有機化合物層的步驟包括：形成剝離層的步驟，其中在第一有機化合物層上形成能溶於純水的剝離層；形成在剝離層上形成的由無機材料組成的保護層的步驟；形成抗蝕劑層的步驟，其中在保護層上形成抗蝕劑材料的膜；處理抗蝕劑層的步驟，其中抗蝕劑層被圖案化；藉由乾蝕刻除去被提供在第二下部電極上的至少保護層、剝離層、以及第一有機化合物層的步驟；藉由乾蝕刻至少除去被提供在第二下部電極上的保護層的步驟；藉由乾蝕刻至少除去被提供在第二下部電極上的剝離層的步驟；以及藉由乾蝕刻至少除去被提供在第二下部電極上的第一有機化合物層的步驟，並且形成第二有機化合物層的步驟包括：在第二下部電極上形成第二有機化合物層的步驟；以及藉由將保護層和第二有機化合物層浸入能溶解剝離層的溶劑中，至少把形成在第一下部電極上的保護層連同形成在保護層上的第二有機化合物層一起除去的步驟。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JP6080437B2|2017-02-15|
    US20130084667A1|2013-04-04|
    CN103035853A|2013-04-10|
    US9054315B2|2015-06-09|
    KR20130035920A|2013-04-09|
    JP2013084578A|2013-05-09|
    CN103035853B|2016-05-25|
    引用文献:
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    TWI611613B|2014-06-17|2018-01-11|佳能股份有限公司|有機發光裝置及該裝置的製造方法|JP3839276B2|2000-09-25|2006-11-01|大日本印刷株式会社|エレクトロルミネッセント素子の製造方法|
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